Home > 제품소개 > Wet chemical
- 특장점
- Side-Wall 의 품질을 획기적으로 개선시켜 해상도 향상
- 현상액의 pH 를 안정화시켜 균일한 현상속도 유지
- 침전물과 Tank 내벽 및 Nozzle 에 생성되는 고착물의 형성을 방지
| Chemical Type | TMAH Type | Na2Co3 Type |
|---|---|---|
| Develop material | DFR or PR | DFR or PR |
| Develop Rate @ 40℃ | 30 ~40 sec | 45~55 sec |
| Appearance | Clear Liquid | Clear Liquid |
| PH | 10 > | 10 > |
| Specific gravity | 1.1 | 1.1 |
- 특장점
- 각 Metal Attack을 최소화 시킴
- 기존 에칭액의 Photo Resist Attack성의 최소화
- 2액형 Etchant 사용시 Controller 사용으로 E/R 유지가 가능함
- Metal + ITO 동시 에칭을 가능하게 하여 공정 이 간소화 됨
| Chemical Type | 염산,유기산 Type | 혼산 Type | 혼산 Type | 혼산 Type |
|---|---|---|---|---|
| Etching material | ITO | Ag Alloy | ITO, Ag Alloy | ITO, Cu Alloy |
| Etching Rate | 30~40 sec (40~50℃) |
20~30 sec (상온) |
50~65 sec (40~50℃) |
50~65 sec (40~50℃) |
| Features |
약품 Control 시스템 - E/R 조절이 가능 - 불량률 감소 - 약품 항상성 유지 |
약품 Control 시스템 - E/R 조절이 가능 - 불량률 감소 - 약품 항상성 유지 |
- 2Layer동시 에칭 - 공정 단축 - 생산성 향상 |
- 2Layer동시 에칭 - 공정 단축 - 생산성 향상 |
| Remark | 1액형, 2액형 보유 | 1액형, 2액형 보유 | 1액형 | 1액형 |
- 특장점
- 장비내에 고착물이 발생되지 않아 Bath 의 유지관리 및 교환이 용이함
- Photoresist 입자는 항상 일정한 크기로 박리됨
- 박리속도가 일정하게 유지되면 Bath 의 수명이 현저히 증대됨
- 유기용매를 포함하고 있지 않아, 장비 데미지 최소화
| Chemical Type | TMAH Type | Amine Type |
|---|---|---|
| Develop material | DFR or PR | DFR |
| Develop Rate @ 40℃ | 50~60 sec | 60sec > |
| Appearance | Clear Liquid | Clear Liquid |
| PH | 10 > | 10 > |
| Specific gravity | 1.1 | 1.1 |
| Remark | 원액사용 | 7% 희석사용 |
- 특장점
- TSP Rework 시 사용되어지는 약품으로 각 공정에 특화 되어 있음
- 각 공정 Rework 시 타공정 소재에 damage를 주지 않음
- Film 및 Glass 에 사용이 가능함
| Process | Metal 제거 | BM 제거 | Glass 세정 |
|---|---|---|---|
| Remove material | ITO, Ag/Mo, Cu/Ni | BM Ink | Glass |
| Remove time | 각 60초 이내 | 10분 > | 60초 > |
| Chemical Type | 혼산 계열 | 혼합 유기용제 | 알카리 , 중성계열 |
| Remark | Dip ,Spray 사용 | 초음파 사용 | AF코팅용, 일반 Glass용 |
